Синтез углеродных пленок электрохимическим травлением карбида кремния SiC с фтористоводородной кислотой в неводных сольвентах

Synthesis of carbon films by electrochemical etching of SiC with hydrofluoric acid in nonaqueous solvents*

Jaganathan Senthilnathan^a, Chih-Chiang Weng^a, Wen-Ta Tsai^a, Yury Gogotsi^b, , Masahiro Yoshimura^a,

^a Promotion Centre for Global Materials Research (PCGMR), Department of Material Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan

^b Department of Materials Science and Engineering, and A. J. Drexel Nanotechnology Institute, Drexel University, Philadelphia, PA 19104, USA

*In Press, Accepted Manuscript, Available online 24 January 2014, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2014.01.028

Углеродные пленки на SiC (карбид кремния) получили множество применений, начиная от трибологии до электрического хранения энергии. Образования эпитаксиальных или гетероэпитаксиальных слоев углерода на SiC в мягком растворе, такие как электро-или фотохимические, могут быть интересны для различных областей применения и снижения энергоемкости, что делает процесс совместимым с изготовлением электронных устройств. Исследователи показали формирование углеродного слоя на керамике карбида кремния с помощью электрохимического травления в неводном электролите.

Ученые провели селективное травление кремния Si из карбида кремния SiC в одностадийной реакции с фтористоводородной кислотой (HF) в различных органических растворителях, и исследовали роль полярности, поверхностного натяжения, плотности и вязкости органических растворителей в формировании углеродного слоя. Раствор фтористоводородной кислоты HF и этанола (в соотношении 1:4.6) при малых плотностях тока (10 и 20 мА/см2) позволяет лучше контролировать процесс селективного травления кремния Si с последующим образованием аморфного и упорядоченного углерода на поверхности SiC.

Подробнее о синтезе углеродных пленнок на www.mrc.org.ua